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2025-11
石墨盤如何優化結構設計
石墨盤可通過以下方法優化結構規劃，以進步外延片生長的均勻性、質量和出產功率：凹槽與支撐結構優化： 設置支撐部件：在凹槽的上外表設置支撐部件，將襯底懸置，削減凹槽底面與襯底底面的接觸面積，使傳熱方法由熱傳導優化為以熱輻射為主，行進襯底受熱的均勻性。支撐部件的材料可為石墨，可與石墨盤一體化加工或獨自加工后固定，形狀可為球形、錐形、......
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26
2025-11
真空爐石墨連接片承壓能力如何
真空爐石墨聯接片的承壓才調受資料功用、結構規劃及工況條件的概括影響，需結合具體參數進行系統分析。以下是具體解析及優化建議：一、石墨資料自身的抗壓特性常溫抗壓強度等靜壓石墨（如IG-11、ISO-63）：常溫下抗壓強度約為70-100MPa，不同商標差異明顯（需參看資料數據表）。模壓石墨：強度較低，一般為30-50MPa，適宜低載荷場景。高溫功用衰減......
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2025-11
石墨熱場加熱速度慢怎么辦
針對石墨熱場加熱速度慢的問題，可經過優化設備規劃、改善加熱工藝、強化熱場處理以及引進智能化操控等方法行進加熱功率，詳細計劃如下：一、優化設備規劃挑選高導熱性加熱元件 選用高純度石墨或碳碳復合資料作為加熱體，其導熱系數可達100-200W/(m·K)，可行進熱傳導功率。 事例：在直拉單晶爐中，運用等靜壓石墨......
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25
2025-11
石墨熱場的熱場均勻性怎么實現的呢
石墨熱場的熱場均勻性是經過資料特性、結構規劃、加熱操控、隔熱優化以及工藝調整等多方面協同作用結束的。以下是具體結束方法及原理：一、資料特性：高導熱性與低熱膨脹系數高導熱性 石墨的導熱系數高（約100-200W/(m·K)），能快速將熱量從加熱器傳遞至整個熱場，削減部分溫度差異。 運用：在直拉單晶爐中，石墨......
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25
2025-11
半導體ic封裝石墨模具的尺寸偏差
半導體IC封裝石墨模具的標準過錯，即公差，是一個要害參數，它直接影響到封裝的質量和功用。以下是對半導體IC封裝石墨模具標準過錯的詳細分析：一、公差規劃 石墨制品的公差依據所出產的詳細材料和加工要求而定，通常在0.1mm至0.5mm規劃內。但是，關于高精度的石墨制品，如半導體工作中的石墨模具，公差規劃可能會更小，以確保產品的安穩......
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2025-11
石墨密封軸套碳含量的測量方法是什么
石墨密封軸套碳含量的丈量方法首要遵照石墨資料純度查驗的一般方法，常用的包含焚燒法和直接分量法。以下是這兩種方法的詳細介紹：焚燒法 原理：經過高溫灼燒石墨樣品，使石墨中的碳元素完全焚燒轉化為二氧化碳，然后測定剩余灰分的含量，然后推算出石墨中碳元素的質量分數。利益：操作簡略、本錢較低。 缺點：查驗效果簡略遭到......
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24
2025-11
石墨軸承公差設計過程中需要考慮哪些因素
石墨軸承公役規劃過程中需求考慮的要素很多，這些要素直接關系到軸承的功能、可靠性和運用壽命。以下是對這些要素的具體歸納和剖析：一、資料特性熱膨脹系數： 石墨資料的熱膨脹系數會影響軸承在不同溫度下的尺度變化。因此，在公役規劃中，需求考慮溫度對軸承尺度的影響，防止因熱膨脹導致的合作問題。彈性模量： 石墨資料的彈......